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IRFP4229PBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRFP4229PBF

Hersteller Teil #: IRFP4229PBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRFP4229PBF Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

310W Tc

Turn Off Delay Time

44 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-40°C~175°C TJ

Packaging

Tube

Series

HEXFET®

Published

2006

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

Through Hole

ECCN Code

EAR99

Resistance

46MOhm

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

310mW

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

25 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46m Ω @ 26A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4560pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Rise Time

27ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

19 ns

Continuous Drain Current (ID)

44A

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-247AC

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

250V

Dual Supply Voltage

250V

Recovery Time

290 ns

Nominal Vgs

5 V

Height

20.7mm

Length

15.87mm

Width

5.3086mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
IRFP4229PBF	TO-247-3	MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
IRFP260MPBF	TO-247-3	MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
IRFP4332PBF	TO-247-3	MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
IRFP260NPBF	TO-247-3	Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 24000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.92729

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.92729
10+:	$1.81820
100+:	$1.71528
500+:	$1.61819
1000+:	$1.52660

Zwischensumme: $1.92729

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